奥地利半导体生产设备制造商EVGroup与德国太阳能研究机构FraunhoferISE共同宣布,已经取得了硅类多结太阳能电池31.3%的效率,打破了之前的30.2%纪录。科学家们采用了一种晶圆直接键合(directwaferbonding)技术,将一些几微米的III-V族半导体材料转移到硅中。在等离子体被激活之后,将太阳能电池单元材

首页 > 光伏组件 > 其他 > 技术 > 正文

硅类多结太阳能电池效率达到31.3%

2017-03-29 10:26 来源: pv-magazine 

奥地利半导体生产设备制造商EVGroup与德国太阳能研究机构Fraunhofer ISE共同宣布,已经取得了硅类多结太阳能电池31.3%的效率,打破了之前的30.2%纪录。

科学家们采用了一种“晶圆直接键合”(directwaferbonding)技术,将一些几微米的III-V族半导体材料转移到硅中。在等离子体被激活之后,将太阳能电池单元材料在真空中加压键合。Ⅲ-V族半导体材料表面的原子与硅原子形成键,生成单片元件。

多结电池由镓铟磷(GaInP)、砷化镓(GaAs)以及硅(Si)这三个电池单元构成,单元间相互堆叠,以覆盖太阳光谱的吸收范围。Ⅲ-V族半导体层在GaAs基板上外延析出形成,与硅太阳电池结构接合。

尽管内部工作原理极其复杂,但电池外观普通,因而有希望能通过常用的简单前后接点,极快地整合入一个标准的光伏组件。

2016年初,澳大利亚新南威尔士大学的研究人员,通过使用一个28平方厘米的四结迷你组件,实现了34.5%的转换效率,突破了太阳能理论效率的极限。

原标题:Fraunhofer ISE和EVG实现硅类多结太阳能电池31.3%的效率

特别声明:北极星转载其他网站内容,出于传递更多信息而非盈利之目的,同时并不代表赞成其观点或证实其描述,内容仅供参考。版权归原作者所有,若有侵权,请联系我们删除。

凡来源注明北极星*网的内容为北极星原创,转载需获授权。
展开全文
打开北极星学社APP,阅读体验更佳
2
收藏
投稿

打开北极星学社APP查看更多相关报道

今日
本周
本月
新闻排行榜

打开北极星学社APP,阅读体验更佳