硅异质结太阳能电池对紫外线(UV)敏感。二次离子质谱(SIMS)分析表明,365nm紫外线会解离Si-H键,导致氢原子从a-Si:H/c-Si界面迁移并形成亚稳态缺陷。东方日升全球光伏研究院联合东南大学,针对n型异质结电池和组件的紫外稳定性进行了深度机理性的研究,开发了低紫外损伤连续PECVD工艺,通过优化i1钝化层

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突破UV衰减瓶颈!东方日升异质结技术再登国际顶刊,引领光伏可靠性革命

2025-07-10 08:51 来源:东方日升新能源 

硅异质结太阳能电池对紫外线(UV)敏感。二次离子质谱(SIMS)分析表明,365nm 紫外线会解离 Si-H 键,导致氢原子从 a-Si:H/c-Si 界面迁移并形成亚稳态缺陷。东方日升全球光伏研究院联合东南大学,针对n型异质结电池和组件的紫外稳定性进行了深度机理性的研究,开发了低紫外损伤连续PECVD 工艺,通过优化i1钝化层氢含量达33%( a-Si0x:H)i2钝化层氢含量达25%(a-Si:H),使载流子寿命提升至3.6ms,紫外诱导衰减(UVID)从1.59%降至 0.71%。

近日,相关研发成果以《Enhancing UV light stability in commercial silicon HJT solar cells and modules》发表于能源领域顶级期刊《Solar Energy》(图1),首次系统性揭示了异质结(HJT)技术紫外线衰减(UVID)的原子级机理,并创新性提出解决方案。这标志着中国光伏企业在核心技术创新上再次实现全球引领。

图1 Enhancing UV light stability in commercial silicon HJT solar cells and modules

01 直击行业痛点:

破解HJT紫外衰减的“黑匣子”

长期以来,紫外线对n型高效电池的侵蚀如同“隐形杀手”——365nm波长的紫外光子会精准破坏硅氢键(Si-H),导致界面钝化失效。作为钝化效果最好,效率更优的异质结电池,也不例外。在这次的研究中,团队通过二次离子质谱(SIMS) 首次捕捉到氢原子迁移轨迹(图2)。

图2 氢原子迁移

氢原子从a-Si:H/c-Si界面逃逸至表面,造成钝化层空洞化,Voc与FF显著衰减。这一发现颠覆了行业对紫外衰减的模糊认知,为根治技术难题奠定基础。

02 技术破局:

从材料基因到工艺革命

创新1:

全球首创

“低紫外损伤连续PECVD沉积”工艺

团队开发低紫外损伤连续PECVD沉积技术(专利号已申请),在界面层植入“氢原子防护网”:

● 首创梯度氢含量设计:i₁层(a-SiOₓ:H)氢含量33% → i₂层(a-Si:H)25%

● 载流子寿命提升至3.6ms(行业均值<2.5ms),UVID衰减率降低55%(从1.59%→0.71%)(图3)

图3 各参数电性能变化

创新2:

温度与紫外衰减的颠覆性发现

研究首次建立了紫外强度-暴露时间-温度的关联模型:如图4所示。从实验数据证明:

1. 延长紫外暴露时间与增强紫外强度将加剧UVID;

2. 高温环境(≥110℃)可完全抑制UVID(即使100%紫外功率);

3. 60倍光强光注入处理(60 suns)可修复短期紫外损伤(6-20 kWh/m²)。

图4 三因素关联模型

03 持续引领:

从实验室到全球电站的承诺

“这项研究不仅发表于顶级期刊,更已导入东方日升Hyper-ion伏曦Pro异质结电池和组件产线。”——Shehroz Razzaq博士(论文第一作者)指出,“我们通过材料基因优化-电池工艺创新-紫外截止封装系统的三重技术闭环,有效地改善了HJT电池和组件的UVID性能。”

东方日升一直致力于异质结技术的持续研发和优化,近三年来,东方日升全球光伏研究院在HJT领域发表核心期刊论文7篇,专利授权330余项,实验室效率26.5% → 量产效率26.2%(2024Q1数据),目前HJT电池最佳批次平均效率 26.4%,冠军电池效率 26.61%。积极参与标准化工作,主参编各类标准共计36项,具体包括:国家标准8项(主编1项,参编7项)、行业标准7项、团体标准21项,并于近期着手申请《Rapid stabilization treatment method for metastable PV modules 》IEC国际标准立项。

“在东方日升,我们始终聚焦能源技术的本质价值——通过原子级界面钝化和氢键行为优化,让每一缕阳光都转化为经得起时间考验的绿色能量。” 东方日升全球光伏研究院院长杨伯川博士强调说,“这不仅是效率和可靠性的提升,更是对新能源可持续性的根本承诺。”

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