资料显示，王彦君从生产一线起步，曾解决区熔单晶硅多项关键性技术难题；近五年间，又先后主持国家科技重大专项、国家强基工程、国家重点新产品等多个重点项目研发。
、区熔单晶硅棒及硅片等光伏产品。...2002年8月8日，京运通成立，是一家以高端装备制造、新材料、新能源发电和节能环保四大产业综合发展的集团化企业，主导产品包括单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉等光伏及半导体设备,多晶硅锭及硅片、直拉单晶硅棒及硅片
通过高纯氢气合成高纯硅烷，打造了“硅烷—颗粒硅—单晶硅片—太阳能电池片—光伏组件—光伏电站”“硅烷—电子级（区熔级）多晶硅—晶圆片—半导体材料”“气凝胶—高温保温隔热板绝缘毡、弘暖纤及其他产品用”3条硅材料产业链
其中，光伏级硅棒产品主要规格为g12、m10、m6单晶硅棒，硅片产品主要包括210mm、182mm 及166mm尺寸单晶硅片；半导体级区熔单晶硅棒及硅片产品主要包括5吋以下、6吋、8吋区熔硅棒及硅片，区熔单晶硅棒可满足
光伏级硅片纯度要达到“6-8 个 9”，即 99.999999%；而半导体级硅片纯度要达到“9-11 个 9”，即 99.99999999999%，区熔级(fz)半导体单晶硅更是要达到“12 个 9”以上的高纯度级别
1、光伏行业景气上行，单晶硅片产能持续释放。...福莱特业绩增速情况：2017年净利润增长率(-29%)2018年净利润增长率(-4%)2019年净利润增长率(76%)2020年半年报净利润增长率(76%)上市至今股价上涨了8倍；002129 中环股份：中环股份的区熔硅单晶国内市场占有率达
新材料业务，硅棒、硅锭与硅片业务主要产品为光伏级的直拉单晶硅棒及硅片、多晶硅锭及硅片，半导体级的区熔单晶硅棒及硅片。
作为国内单晶硅品种最全生产企业之一的中环股份，其主攻的g12大尺寸电池片又有新动向。...中环股份区熔硅单晶国内市场占有率达65%以上，产量和市占率连续5年居国内同行业首位，产销规模居世界前三。
中环股份是国内单晶硅品种最齐全的生产企业之一，区熔硅单晶国内市场占有率达65%以上，产量和市占率连续5年居国内同行业首位，产销规模居世界前三，并在全球首发g12系列产品，g12 perc+光伏电池是目前最先进的大尺寸电池片
中环的半导体研究开发项目2832.26万，占总研发支出的15.84%，尤其是近日投向半导体生产线的50亿募资，计划建设月产75万片8英寸抛光片和月产15万片12英寸抛光片生产线，疑似将转移公司的经营重心，公司称，相比光伏级单晶硅产品半导体硅片材料利润空间更高
其中，中环股份是国内最早专业从事半导体材料和半导体器件生产的公司，也是最早从事太阳能电池和太阳能级单晶硅的生产企业之一，长期专注于半导体节能和新能源两大产业，功率半导体用区熔单晶、单晶硅片综合实力国内第一
公司的区熔硅片已经做到全球第三，国内第一，除8寸区熔硅片外中环也在募投8寸直拉硅片...中环和隆基是光伏单晶硅片行业的双寡头，2018年惨烈的531洗牌之后硅片环节可以说是竞争格局最为清晰的环节，在2017年的时候一个组件采购员去市场上采购单晶硅片可能能找到20家厂商，然而2018年531
、直拉单晶硅、区熔硅片、直拉硅片四大系列产品，是国内同行业中单晶硅种类齐全的少数几家之一。...公司发展历程中环股份是单晶硅片龙头之一，先后开发了具有自主知识产权的转换效率超过24%的高效n型dw硅片，转换效率达到26%、“零衰减”的cfz-dw（直拉区熔）硅片。
在国内单晶崛起之前，中环股份近80%的硅片份额用于出口。但相比于单晶硅...这也是中环股份那份引爆舆情的公告发布的最根本缘由，也正因于此，这家一向低调的单晶硅片龙头企业，不得不面向投资者，反复去解释这次交易的始末。
、多晶硅铸锭炉、区熔炉等光伏及半导体设备，多晶硅锭及硅片、直拉单晶硅棒及硅片、区熔单晶硅棒及硅片等光伏产品，光伏发电和风力发电等新能源发电项目及蜂窝式中低温scr烟气脱硝催化剂。
作为国内最早开始发展和投产区熔硅单晶的厂商，中环已在区熔硅单晶领域建立了长久且稳定的优势地位。2006年中环区熔单晶硅材料产销规模业已跃居世界第三位，仅次于日本信越和德国瓦克。
铸锭单晶是利用单晶硅为籽晶，通过铸锭炉生长的铸造单晶，这项技术并不算是新工艺，也不是协鑫首创。...（来源：微信公众号“索比光伏网” id：solarbe2005）铸锭单晶、区熔单晶挑战直拉单晶谁是新世界的王者？
rcz是目前单晶硅生产的主流技术，n型单晶硅片的生产也主要依赖于此方法。cfz(直拉区熔)，采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶，兼顾两者优点，可有效降低氧含量，提高少子寿命。
在多晶硅片方面，凭借先进的成核技术、高纯材料和电阻率优化，为更高效率需求提供选择；在单晶硅片方面，更加先进的连续直拉单晶（ccz）技术氧含量更低且更均匀，金属杂质累积速度更慢，轴向电阻率分布均匀，波动可以控制在
在多晶硅片方面，凭借先进的成核技术、高纯材料和电阻率优化，为更高效率需求提供选择;在单晶硅片方面，更加先进的ccz技术氧含量更低且更均匀，金属杂质累积速度更慢，轴向电阻率分布均匀，波动可以控制在10%以内
图表1 半导体硅片生产工艺流程图表2 半导体硅片主要生产设备及厂商1、拉晶：直拉法是主流，国内已实现单晶炉国产化将多晶硅拉制成单晶硅棒主要有两种技术工艺，直拉法(cz法)和区熔法(fz)，区熔法得到的硅片纯度更高
区熔法有水平区熔和悬浮区熔，前者主要用于锗提纯及生长锗单晶，硅单晶的生长则主要采用悬浮区熔法，生长过程中不使用坩埚，熔区悬浮于多晶硅棒和下方生长出的单晶之间，区熔法不使用坩埚，污染少，经区熔提纯后生长的硅单晶纯度较高
c、利用区熔单晶硅工艺（fz）改进单晶硅棒产品质量区熔单晶硅工艺避免了直拉工艺中大量氧进人硅晶体的固有缺陷，从而彻底解决了p型（掺硼）太阳电池的早期光致衰减现象。
c、利用区熔单晶硅工艺（fz）改进单晶硅棒产品质量区熔单晶硅工艺避免了直拉工艺中大量氧进人硅晶体的固有缺陷，从而彻底解决了p型（掺硼）太阳电池的早期光致衰减现象。
电子级区熔单晶硅方面，公司是国内绝对龙头，目前市场份额国内第一全球第三，将冲击全球第二。目前公司8寸区熔晶硅技术全球领先，公司将继续开发下游客户。
