多晶硅由于结构的各项同性而使采用碱腐蚀织构化效果不好，日本京瓷(Kyocera)公司采用PECVD/SiN+表面织构化采用反应性等离子刻蚀技术 (RIE)。而扩散则采用双面扩散的方法，背面重扩散达到吸杂的效果，以提高电荷的收集率。1996年效率达到17.1%，到了2004年，233cm2 大面积多晶硅电池效率达17.7%。去年利用背接触型结构达到18.5%的效率(面积为150mm* 155mm，采用黑色背板，减小布线的宽度，使模块整体呈黑色)。已实现商业化。(作者：和海一样的新能源)