其中提到，重点支持高（超）纯铟、铟化物、铟基合金、铟靶材，锗单晶材料、锗晶片材料、光伏/光纤级锗材料、红外级锗材料，贵金属化工材料、光伏用贵金属材料、贵金属催化材料、贵金属功能材料，金属镓、高纯镓、砷化镓
（三）在先进半导体材料领域，重点发展硅基、锗基等第一代半导体，大尺寸砷化镓和磷化铟的单晶及外延片等第二代半导体，碳化硅及外延片、镓系氧(氮)化物及外延片、氧(氮)化铝等第三代半导体，光刻胶、显影液、超净高纯试剂
8.锑化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2853909029、3818009007、3825690007）。（二）锗相关物项。...4.磷化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片等形态）（参考海关商品编号：2853904030、3818009003、3825690003）。
而就在这一年之后，林兰英放弃美国巨额工资，突破了重重阻碍终于归国，她的全部积蓄已被美国当局扣押，自己已经身无分文，但她却冒险拿回了在当时价值20多万的500克锗单晶和100克硅单晶，无偿地赠给了中国科学院
例如，硅的熔点是1420摄氏度，而锗的熔点才960摄氏度，更何况前者化学性质更加活泼，如何达到目标？...1947年，美国人威廉·肖克利发明了世界上第一只锗（ge）晶体管。不到两年后，硅晶体管也在美国诞生。由于硅分布更广，实用价值高，以硅为材料的半导体技术很快在多个领域得到应用。
类似的元素还有碳、锗（最外层都是4个电子）。晶态构型的碳就是钻石。锗和硅一样，也是半导体材料。但这里的电子，被稳稳地束缚住。纯净的硅晶体，是不导电的。...1954年，美国人恰宾和皮尔松在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，诞生了将太阳光能转换为电能的实用光伏发电技术。
1883年，美国科学家查尔斯·弗里茨在锗片上镀上一层硒金属电极,建立了第一块光伏电池。...1916年，波兰化学家扬·柴可拉斯基发现了提纯单晶硅的拉晶工艺，并以他的名字命名为柴可拉斯基法。
该项目的实施完成后，公司控股子公司中科鑫圆将具备20万片6英寸太阳能锗单晶片或30万片4英寸太阳能锗单晶片的年产能。...该项目实施内容包括已经完成的“高效太阳能电池用锗单晶及晶片产业化建设项目”(“4英寸项目”),4英寸项目已建成了一条年产30万片4英寸太阳能电池用锗单晶片生产线。
驰宏国际锗业、驰宏废旧铅酸电池无害化综合回收项目基本建成，贝塔科技新材料、年产2万吨磷酸铁锂等项目快速推进。生物医药产业持续发力。...近年来，国家级曲靖经济技术开发区（以下简称“曲靖经开区”）围绕省委、省政府打造规模化绿色水电硅产业集群的目标，把产业发展重点由多晶硅调整到以单晶及下游产业为主，招引了一批重大项目快速落地建设。
在光伏电池中，采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将p型半导体与n型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为pn结。...在实践中，通常使用单晶体材料（如硅），并使用不同的化学物质掺杂来制造这种结。例如，用硅晶体掺杂少量锑元素形成n型半导体，用硅晶体掺杂少量硼形成了p型半导体。
区熔法有水平区熔和悬浮区熔，前者主要用于锗提纯及生长锗单晶，硅单晶的生长则主要采用悬浮区熔法，生长过程中不使用坩埚，熔区悬浮于多晶硅棒和下方生长出的单晶之间，区熔法不使用坩埚，污染少，经区熔提纯后生长的硅单晶纯度较高
通过并购，汉能现已经掌握铜铟镓硒、非晶硅-锗、非晶硅-纳米硅等7条全球领先的薄膜技术路线，薄膜光伏组件量产转化率已达到15.5%，研发转化率最高已达18.1%。...相比于多晶硅，单晶硅具有转换效率高的特点。说到单晶硅，全球单晶硅片老大隆基股份及旗下子公司乐叶光伏值得一提。
周春林：砷化镓太阳能电池板采用的是锗衬底，首先将锗的单晶切成锗片，在锗片上再做砷化镓的外延，最后制成高效三结砷化镓电池片。砷化镓电池的主要特点就是效率高、重量轻、面积小、抗辐照能力强。
非晶硅中的硅原子是随机分布的，其光电转换率也低于单晶硅，但是与晶体硅相比，它能捕捉到更多的光子，同时在非晶硅中添加锗或碳进行合金化可以增强其这一特性。...半导体材料光伏发电系统中的半导体材料可以是硅、多晶薄膜或单晶薄膜。硅材料包括单晶硅、多晶硅和非晶硅。单晶硅具有规则的结构，它比多晶硅光电转换率高。
经过在全球范围的一轮薄膜技术大并购，汉能已形成硅锗薄膜、玻璃基铜铟镓硒、柔性铜铟镓硒（溅射法）、柔性铜铟镓硒（共蒸发法）、砷化镓5大技术路线。...有趣的是，2015年1月，汉能此前在薄膜领域的最大竞争对手firstsolar，改弦易辙，转投单晶硅技术。汉能的底气究竟在哪里？莫非薄膜电池从工业转为民用后，价格不再成为敏感因素？
目前，汉能掌握非晶硅-锗、非晶硅-纳米硅、铜铟镓硒等7条全球领先的薄膜技术路线，薄膜太阳能组件量产转化率已达到15.7%，研发转化率最高已达19.6%。...第一代为多晶硅、单晶硅太阳能电池，第二代为非晶硅低成本薄膜电池和高效、低成本、高转化率、可大规模工业化的铜铟镓硒薄膜电池，第三代主要是指有机薄膜和染料敏化电池及其他新兴电池技术。
目前，汉能掌握非晶硅-锗、非晶硅-纳米硅、铜铟镓硒等7条全球领先的薄膜技术路线，薄膜太阳能组件量产转化率已达到15.7%，研发转化率最高已达19.6%。...第一代为多晶硅、单晶硅太阳能电池，第二代为非晶硅低成本薄膜电池和高效、低成本、高转化率、可大规模工业化的铜铟镓硒薄膜电池，第三代主要是指有机薄膜和染料敏化电池及其他新兴电池技术。
云南中科鑫圆晶体材料有限公司通过对太阳能电池用锗单晶及晶片产业化开发关键技术进行攻关，实现了技术突破，系统解决了vgf法单晶生长炉的设计和制造技术、vgf法大直径低位错密度锗单晶生长关键工艺技术、高平整度开盒即用锗抛光晶片加工等关键技术难题
多晶硅、单晶硅等都是朝着降低成本、提高效率的方向发展。从这两年各种类型的市场占有率来看，薄膜太阳能电池占有率是下降的。...目前，汉能已经拥有非晶硅锗、非晶硅纳米硅、铜铟镓硒等7条全球领先的薄膜技术路线，截至2012年底，汉能在国内初步完成了300万千瓦的产能布局。
与浙江大学硅材料国家重点实验室、中科院大连物化所、上海光机所等紧密合作，采用高纯锗金属进行掺杂，在抑制电池片光衰减等研究开发方面取得重大突破，在抗光衰减单晶硅掺镓技术研究、晶体生长设备热场因素对晶体质量的影响
发明了第一个多结光伏太阳能电池后，nrel与民营厂商合作开发了符合工业标准的镓铟磷/砷化镓(铟)/锗(gainp/ga(in)as/ge)技术，并首次向各方太阳能业界展示imm太阳能电池。...此外，把手材料未必要单晶硅或半导体，具体应用可具体选择，从而让装置轻薄化成为可能。由于磷化镓铟和砷化镓铟将太阳能光谱三等分，便于电池的三个结点吸收，多结太阳能电池的转换效率也远超单结电池。
1951年生长p-n结，实现制备单晶锗电池。1953年wayne州立大学dantrivich博士完成基于太阳光普的具有不同带隙宽度的各类材料光电转换效率的第一个理论计算。...1956年p.pappaport，j.j.loferski和e.g.linder发表锗和硅p-n结电子电流效应的文章。
发明了第一个多结光伏太阳能电池后，nrel与民营厂商合作开发了符合工业标准的镓铟磷/砷化镓(铟)/锗(gainp/ga(in)as/ge)技术，并首次向各方太阳能业界展示imm太阳能电池。...此外，把手材料未必要单晶矽或半导体，具体应用可具体选择，从而让装置轻薄化成为可能。由于磷化镓铟和砷化镓铟将太阳能光谱三等分，便于电池的三个结点吸收，多结太阳能电池的转换效率也远超单结电池。
美国uni-solar公司的不锈钢衬底、三结非晶硅锗太阳电池结构如图3所示，其小面积电池效率目前达到14.6%。...薄膜太阳电池在降低成本方面比晶体硅(单晶或多晶)太阳电池具有更大的优势，一是实现薄膜化后，可极大地节省昂贵的半导体材料；二是薄膜电池的材料制备和电池同时形成，因此节省了许多工序；三是薄膜太阳电池采用低温工艺技术
美国uni-solar公司的不锈钢衬底、三结非晶硅锗太阳电池结构如图3所示，其小面积电池效率目前达到14.6%。...薄膜太阳电池在降低成本方面比晶体硅(单晶或多晶)太阳电池具有更大的优势，一是实现薄膜化后，可极大地节省昂贵的半导体材料；二是薄膜电池的材料制备和电池同时形成，因此节省了许多工序；三是薄膜太阳电池采用低温工艺技术
