现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。...然后采用丝网印刷法做成栅线，经过烧结工艺制成背电极，单晶硅太阳能电池的单体片就制成了。单体片即可按所需要的规格用串联和并联的方法组装成太阳能电池组件(太阳能电池板)，构成一定的输出电压和电流。
在九十年代初期，在martin和stuart 的指导下，更多的博士生对埋栅电池的技术和工艺进行了拓展和完善，如多晶硅埋栅电池，perc埋栅电池等，将电池的转换效率进一步提高至22%以上，并在unsw光伏研究中心建立了中试生产线
刻槽埋栅电池的改良是亟需解决的，目前刻槽埋栅电池主要有简化刻槽埋栅电池、混合结构刻槽埋栅电池、双面刻槽埋栅电池。
激光刻槽埋栅电池的大致工艺流程为：硅片-清洗制绒-淡磷扩散-热氧化钝化-开槽-槽区浓磷扩散-背面蒸铝-烧背场-化学镀埋栅-背面电极-减反射膜-去边烧结-测试。(作者：和海一样的新能源)
现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。...公司制备的大面积(225cm2)单电晶太阳能电池转换效率为19.44%，国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发，研制的平面高效单晶硅电池(2cm x 2cm)转换效率达到19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池
四、埋栅电池：unsw开发的激光刻槽埋栅电池，在发射结扩散后，用激光在前面刻出20m宽、40m深的沟槽，将槽清洗后进行浓磷扩散。然后在槽内镀出金属电极。电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积。
（d）埋栅电池：unsw开发的激光刻槽埋栅电池，在发射结扩散后，用激光在前面刻出20m宽、40m深的沟槽，将槽清洗后进行浓磷扩散。然后在槽内镀出金属电极。电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积。
尚德冥王星光伏电池二、高效电池技术：激光刻槽埋栅技术，是利用激光技术在硅表面上刻槽，然后填人金属，以起到前表面电接触栅的作用。激光刻槽埋栅太阳能光伏电池（bcsc）的概念提出于80年代。
（d）埋栅电池：unsw开发的激光刻槽埋栅电池，在发射结扩散后，用激光在前面刻出20m宽、40m深的沟槽，将槽清洗后进行浓磷扩散。然后在槽内镀出金属电极。电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积。电池背
德国费莱堡太阳能研究所制得的晶硅电池转化效率超过23%；印度物理研究所提出一种内部光陷作用的高效硅太阳电池模型可将转换效率提高到28.6%；北京太阳能研究所研制的刻槽埋栅电极2cm×2cm晶体硅电池的转换效率达到
利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％。...实验室电池一般面积比较小（面积小于4cm2），所以需要细金属栅线（小于10微米），一般采用的方法为光刻、电子束蒸发、电子镀。
