为了进一步延展嘉拓智能产品线，在协同公司材料设备需求的同时服务光伏领域客户，嘉拓智能通过控股子公司东莞嘉拓日晟智能科技有限公司发起设立无锡嘉拓，生产光伏电池片关键工艺设备，主要包括：离子注入机、管式pecvd
、离子注入机、高精度丝网印刷机、高温烧结炉等晶硅太阳能电池片生产线设备以及全自动光学检测设备等各类高性能光伏电池与组件生产和检测测试仪器。...重点支持大面积透明导电氧化物（tco）导电玻璃镀膜设备、多靶位磁控溅射系统、多线切割机、自动分选机等硅片生产设备；多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、全自动大面积等离子增强化学气相沉积装备（pecvd）、干法刻蚀机
（2）topcon：图中黄色色块为topcon在perc基础产线上改变或者增加的工艺，可以最大化的利用现有perc产线和工艺经验积累，增加的设备包括lvcvd/pecvd、离子注入机、退火炉、刻蚀设备等...（1）perc+：perc+是在基础的perc产线（下图左边蓝色色块）上增加若干设备，已达到改善电池性能的目的，图中我们以激光se、光再生（绿色色块）作为例子，对应的需要增加激光掺杂设备、光注入/电注入设备
一种是用lpcvd原位（或离位）掺杂形成多晶硅，由于lpcvd沉积过程会带来绕镀问题，使电池性能退化，因此可选择离位掺杂，即lpcvd形成本征多晶后再进行扩散或离子注入掺杂，形成重掺杂的多晶硅；另一种是使用
可以说，应用材料的薄膜沉积（cvd、pvd 等）、氧化、刻蚀、离子注入、快速热处理、化学机械平整（cmp）、计量检验等设备基本覆盖了集成电路生产的全部环节。
同样，通过掩膜可以形成选择性的离子注入掺杂。离子注入后，需要进行一步...2011年，suniva首先开发了离子注入太阳电池技术，实现了p型单晶电池18.6%的转换效率并将其推向商业化生产。当然，离子注入技术也可以被应用到ibc电池的制备中。
根据研究人员的研究，通过离子注入技术将金和银纳米颗粒嵌入二氧化钛中。依赖纳米颗粒的细胞效率及其等离激元诱导的光电效应显示，其效率（相对而言）比未植入的细胞高89％。...科学家们还描述了钙钛矿电池应用中如何通过等离子激元进行偶极子－偶极子耦合的热电子注入，光捕获和能量流向调制。他们的发现发表在《高等科学》杂志上的论文《等离子钙钛矿太阳能电池的最新进展》中。
减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善pn结形成技术(如离子注入等)、新型钝化材料与技术(如topcon、polo等)、金属接触技术等方面入手［1］。
减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善pn结形成技术(如离子注入等)、新型钝化材料与技术(如topcon、polo等)、金属接触技术等方面入手［1］。
另外，王文静认为，topcon技术在bbr3扩散、硼离子注入、制备双面掺杂层、 p-topcon电池的掺硼多晶硅等方面仍面临着较大的挑战。
减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善pn结形成技术(如离子注入等)、新型钝化材料与技术(如topcon、polo等)、金属接触技术等方面入手。
减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善pn结形成技术(如离子注入等)、新型钝化材料与技术(如topcon、polo等)、金属接触技术等方面入手。
目前选择性发射极的主要实现工艺有氧化物掩膜法、丝网印刷硅墨水法、离子注入法和激光掺杂法等，其中激光psg掺杂法由于其工艺过程简单，从图1可以看出从太阳电池常规产线升级成激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线
以电脑处理器（cpu）为例，从沙子到芯片，需要经过提纯硅、切割成硅圆片、研磨硅圆片、涂抹光刻胶、蚀刻、离子注入、构建晶体管之间连接电路等5000道复杂工序，对生产设备、环境有严苛的要求。
首先使用热生长在硅片两面得到2.2nm氧化层，lpcvd沉积本征多晶硅使用硼离子注入将背面的多晶硅掺杂为p型背面使用光刻技术开孔，留光刻胶作为阻隔层，两面离子注入进行磷掺杂，背面得到交错的p和n掺杂区域高温退火
毕竟绝大部分的晶硅电池不就是扩散就是离子注入，被掺杂的材料都是晶体硅，当然是同质结。这就跟说普通人是非基因改造人类差不多。当然这里主要是为了跟hit区分开来，所以强调同质。
根据图1和2国际光伏技术路线图itrpv2015的预测，随着背接触（bc）、异质结（hit）等电池新结构，及激光、离子注入等新技术的引入，n型单晶电池的效率优势会越来越明显，且单晶硅在今后几年的市场份额会逐步增加...1997年j.scht等证实硼掺杂cz晶体电池出现光致衰减是由于光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合中心，从而使少子寿命降低，引起电池转换效率下降。
离子注入在p型电池中的应用。...整个团队从2009年回到上海，整个团队5人从美国回国，专注研发离子注入机在光伏领域的应用，这是我们的出发点也是我们的落脚点。下面是双离子源的设计。双离子源只在我们凯
刘正新：ibc的话，离子注入的话，要很多氧膜，这个成本你们是否算过?杨智：ipc的做下...实际上我们中来自己的规划，我们大概有三种，第一个n-pert，但是这块我们也因为是一个离子注入技术。下一步我们想做ibc，目前这些我们都做了一些布局。下面为大家详细介绍。
半导体产业中常用的离子注入技术，虽均匀性较佳、结深精确可控但成本高昂，如何达到量产化，是目前最具挑战的关键议题。...并随着雷射、离子注入等技术的量产化，hjt太阳能电池将可望在2026年超过10%市场占有率，ibc背部接触式达12%。而传统的p型电池市占率将逐年降低。
王文静表示，运用离子注入法掺杂硼效果同样不理想硼原子比硅原子轻，注入到晶体硅后不宜将注入区打成非晶态，硅片损伤比较少，需在后续过程中以非常高的温度或很长的时间才能形成很好的结晶，消除缺陷。
ibc结构图泰州中来光电科技有限公司自2016年成立以来，始终以创新为主，立足于技术的不断进步，创新将离子注入技术应用于n型太阳能电池生产中，实现了正面大于21.0%、背面大于19.0%的高效率n型单晶双面太阳能电池
该公司创新性地将离子注入技术应用于n型太阳能电池生产中，产品实现了正面大于21.0%、背面大于19.0%的高转化效率。
晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过扩散或者离子注入重掺杂形成
英利集团863项目展示博览会上，英利基于离子注入技术的新一代熊猫高效n型单晶电池成为明星展品。...作为世界上第一家成功规模化生产n型单晶双面高效电池的厂家，英利经过近三年的努力，利用离子注入技术提升电池效率并简化原有生产工艺，完成了对第一代熊猫n型单晶双面高效电池生产线的量产技术升级。
