净利润大涨247%+拉普拉斯，根据招股意向书披露，是一家领先的高效光伏电池片核心工艺设备及解决方案提供商，主营业务为光伏电池片制造所需高性能热制程设备（硼扩散、磷扩散、氧化及退火等）、镀膜设备
其中酸性废气（制绒清洗、硼扩散、石英舟/管清洗、返工片清洗、背面蚀刻、rca清洗废气）通过“两级高效碱液喷淋工艺”处理；siox掺杂poly-si、正面alox废气通过“燃烧桶+布袋除尘器+两级碱喷淋工艺
电池片地块废气：制绒、硼扩散等工序产生酸雾废气经二级碱喷淋处理后由25米高fq1-1排气筒排放；抛光、掩膜、背抛前清洗等工序产生酸雾废气经二级碱喷淋处理后由25米高fq1-2排气筒排放；掩膜、背抛前清洗
应选用达到国家1级能效水平或同行业设备先进水平的层压机、硼扩散设备、磷扩散设备、印刷生产线、镀膜设备等设备，要将能效指标作为重要的技术指标列入设备招标文件和采购合同。（二）切实加强节能管理。
第二，它要做pn结，p型半导体深只要扩磷，形成n型，这样简单的就做成了pn结，把磷原子扩散进去，温度较低，一般在800~820度，20分钟就可以了，热预算又比较少。
钝化接触太阳能电池结构示意图 topcon正面与常规n型太阳能电池或n-pert太阳能电池没有本质区别，电池核心技术是背面钝化接触，硅片背面由一层超薄氧化硅（1~2nm）与一层磷掺杂的微晶非晶混合si
另外，也可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩蔽层，掩蔽层上的硼经扩散后进入n型衬底形成p+区，而未印刷掩膜层的区域，经磷扩散后形成n+区。
电池生产工艺:碱腐蚀去损伤层、制备电池表面陷光层→单面磷 (pocl3) 扩散形成pn结→湿法刻蚀周边结及清洗→电池上表面热氧化制氧化硅薄层→等离子增强化学气相沉积 (pecvd) 在电池上表面沉积sinx
另外，掺ga的p型硅与掺磷的n型硅则可以根本上杜绝了“b-o”衰减，也可以解决单晶perc技术的光衰风险。...因此单晶perc技术规模应用在理论上不存在问题，却对硅片品质与电池技术提出了更高的要求，光伏电站投资者需要选择技术可靠的供应商以避免风险。
1、实验本文所有的电池片生产工艺均在常规的晶体硅太阳电池生产线上进行：（1）在氢氧化钠、异丙醇、硅酸钠和制绒添加剂构成的碱性溶液中进行制绒，绒面金字塔大小在5μm以内；（2）扩散炉中高温磷扩散形成n型发射结
图1为基于磷掺杂的n型硅制备成p+nn+结构的双面太阳电池，其采用硼扩散掺杂制备发射极，磷扩散掺杂制备n+背场。
而磷原子(p)的最外层有5个电子，把磷原子掺杂进硅晶体，那么硅晶体显然就多出了一个自由电子。磷原子拿出4个电子与相邻4个硅原子共享后，还剩余一个电子，它是自由的。
晶体硅太阳能电池片主要是用硅半导体材料作为基体制成较大面积的平面pn结，即在规格大约为15 cm15 cm的p型硅片上经扩散炉扩散磷原子，扩散出一层很薄的经过重掺杂的n型层。
npert双面电池基本工艺流程为：（1）双面制绒（2）上表面扩散硼制成p+n结（3）背面扩散磷制成n+n结（4）双面钝化薄膜（5）双面金属化，结构示意图如图1所示。
另外，b2o3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷扩散相比，为了获得相同的方块电阻需要更长的时间和更高的温度，导致材料性能变差。
重点给大家介绍ipv3000，它是有双离子源，可以同时注入磷和硼，ipv3000它是高产能的，每小时可以达到3000片的产能，设备有兼容性，n-pert加一台设备可以做topcon，再加两台设备可以做ibc
这种电池就是说能兼容，它兼容p型的一个工艺，通过我们的常规的磷扩散硼扩散。由于磷备厂及所以它天生的可以做成双面电池。还有一个特点，双面电池比较多，现在n-pert也可以做双面。
硅原子有4个外层电子，若在纯硅中掺入有5个外层电子的原子如磷原子，就成为n型半导体；若在纯硅中掺入有3个外层电子的原子如硼原子，形成p型半导体，两者结合到一起成为pn结。...光子的静止质量为零，不带电荷，其能量值e为普朗克常量h与v频率的乘积；光子在真空中以光速c运行，在大气中的运行速率接近光速。光伏发电的主要原理是半导体的光电效应。
此外，n型硅片掺入磷，没有硼-氧对，因此电池功率的衰减也远低于常规p型电池。...目前市场上大部分电池使用的都是p型硅片，即在硅片中掺入硼的硅片，而n型单晶硅片则是指硅片中掺入磷，由于n型硅片具有较长的少数载流子寿命，因此具有更高的转换效率，更适合高效率电池使用。
与传统的硼或者其他3价元素扩散的p型硅片不同，熊猫电池的基础是磷掺杂的n型硅片。...熊猫n-mwt n型mwt单晶硅高效电池项目是英利集团与欧洲著名太阳能光伏电池研究机构荷兰国家能源研究中心(ecn)及全球领先的光伏设备和自动化系统供应商阿姆泰克(amtech)公司进行的联合研发项目。
为避免光刻工艺所带来的复杂操作,可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩蔽层,掩蔽层上的硼经扩散后进入n型衬底形成n+区,而未印刷掩膜层的区域,经磷扩散后形成p+区。
3.硼和磷的掺杂浓度难以提高。沉积p型和n型非晶硅的过程中，要同时实现对硅的掺杂。所用的反应物为硼烷和磷烷。...而常规晶体硅扩散工艺得到的掺杂浓度一般为1021。
华伯仪器推出的硅料精炼提纯系统是华伯仪器铸锭炉的关键技术，该专利技术可使硅料在铸锭的同时大幅去除碳、氧含量，对磷、硼杂质的去除也有帮助，采用该技术后硅片的得片率上升，切片更加容易，并且减少了线痕、断线，
（c）钝化发射区和背面局部扩散电池（perl）：在背面接触点下增加一个浓硼扩散层，以减小金属接触电阻。...（d）埋栅电池：unsw开发的激光刻槽埋栅电池，在发射结扩散后，用激光在前面刻出20m宽、40m深的沟槽，将槽清洗后进行浓磷扩散。然后在槽内镀出金属电极。电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积。
截至目前，实验室承担的太阳电池软件理论模拟仿真、n型硅片制绒、硼磷扩散工艺、氧化硅膜/氮化硅薄膜钝化等项目研究进展顺利，其中，实验中单晶电池最高的效率记录达到19.89%，实现了技术突破。
