1.微晶硅工艺导入，效率提升先行一步爱康微晶工艺是通过vhf - pecvd技术在异质结电池表面形成微晶硅薄膜。...光伏行业发展的核心动力在于技术创新，作为技术迭代周期内最具潜力的下一代高效电池技术，异质结（hjt）的降本增效进程受到高度关注。
pecvd：提效与降本之匙：pecvd作为支撑hjt电池关键工艺非晶硅薄膜沉积的设备，其质量与hjt电池转换效率紧密相关。...同时，pecvd在hjt产线中50%-60%的价值量占比也决定了其在hjt设备降本中的关键地位。当前pecvd环节国产化热情高涨，已有部分国内企业取得阶段性积极成果。
工艺流程简单 异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 helia pecvd 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜（tco）的helia pvd 设备来说...，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤如下：01、制绒清洗机 ：电池正反面制绒 02、等离子体增强化学气相（pecvd）沉积正面本征非晶硅薄膜
电池制备工艺依次为：去除rena机械损伤层和酸制绒、pocl3磷源管式扩散形成p-n结、干法刻蚀、背面ald沉积a12o3钝化膜、正面管式pecvd沉积sinx 钝化膜、背面管式pecvd沉积sinx
在实际商业运用中，用pecvd沉积氮化硅薄膜的技术已较为成熟，光伏太阳电池行业广泛使用板式pecvd和管式pecvd，但管式pecvd法制备的氮化硅薄膜色差问题难以解决，色差会使太阳电池的外观不良，必须重新晶硅太阳电池氮化硅膜产生色差的影响因素研究返工
背面局部存在一些微小的孔隙，造成这一现象的原因是烧结后氧化铝浆料厚度骤降约200 倍，分子成膜存在不均匀性。采用pecvd、ald...1.2 制备流程采用氧化铝浆料制备黑硅perc 多晶太阳电池的工艺流程为：①黑硅制绒→②扩散→③刻蚀去psg →④背面抛光→⑤印刷氧化铝浆料/ 烧结→⑥ pecvd 正面镀膜→⑦ pecvd 背面镀膜→
图表2：hit太阳能电池工艺流程资料来源：ofweek行业研究中心制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用pecvd法制备。...下图是hit太阳能电池的基本构造，其特征是以光照射侧的p-i型a-si：h膜（膜厚5-l0nm）和背面侧的i-n型a-si：h膜（膜厚5-l0nm）夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的
非晶硅沉积：主要使用pecvd设备进行非晶硅薄膜沉积，薄膜厚度为纳米级，且内部结构较为复杂，半导体级工艺，技术摸索集中在这个环节。...设备端清洗制绒、pvd/rpd、丝网印刷都已突破，唯一的难点在于pecvd，海内外众多企业都在集中攻关以提高pecvd的节拍、稳定性、均匀性，并降低设备价格，明年可能会有较大突破。
电池生产工艺:碱腐蚀去损伤层、制备电池表面陷光层→单面磷 (pocl3) 扩散形成pn结→湿法刻蚀周边结及清洗→电池上表面热氧化制氧化硅薄层→等离子增强化学气相沉积 (pecvd) 在电池上表面沉积sinx...∶h减反射膜及钝化→丝网印刷电池的正反面银电极和al背电场→高温烧结形成良好的欧姆接触。
目前，用于perc电池量产的alox钝化膜沉积方法主要有原子层沉积法（ald）和等离子化学气相沉积法（pecvd）。...其中，根据设备形式的不同，pecvd沉积工艺设备包括板式pecvd和管式pecvd，ald沉积工艺设备也主要分为管式ald和板式ald，值得注意的是，在管式ald工艺下，还分为单插片与双插片的区别，即双面镀膜和单面镀膜的差异
而影响背面钝化成本的两个核心因素是氧化铝膜厚度和tma 使用量。而相比于传统pecvd 钝化技术，ald 技术使钝化膜更薄，并且大大降低tma 使用量，从而使成本降低。
3sih4+4nh3 si3n4+12h2二、si3n4si3n4膜的颜色随着它的厚度的变化而变化，一般理想的厚度是7580nm之间，表现为深蓝色，si3n4膜的折射率在2.02.5之间效果最好，通常用酒精来测其折射率
采用ct管式pecvd炉在硅片表面形成氮化硅减反射膜，同时掺杂h元素，使缺陷减少，还可以保护硅片。丝网印刷是将含有金属的导电浆料透过丝网网孔压印在晶硅太阳能电池两面形成电路或电极。...太阳能光伏是近年来最受关注的研究领域。光伏行业中，永恒的主题是提高晶硅太阳能电池的光电转换效率和降低其生产成本。近年来，单一依靠常规工艺进一步提高太阳能晶硅电池效率变得愈加困难。
涉及光伏的主要产品包括：单晶炉、多晶硅铸锭炉、扩散炉、pecvd、制绒清洗机、去psg清洗机、石英管清洗机、石墨舟清洗机等。...同时，七星电子研发的ssp8471a管式pecvd为单管产能全球最高设备，电池片转换效率高，属于世界先进水平。该设备具有独特的射频引入方式，且全自动运行并预留倒片接口。
所以oerlikon早在20年前开发薄膜太阳技术及设备时，将其开发重点集中在pecvd设备超高频电源与反应器装置的开发。...据孙海燕博士介绍，非晶工艺和非晶微晶工艺的主要区别在于pecvd工艺，后者在镀膜的过程中需要40mh的超高频，以获得高沉积速率、高均匀性以及低损伤。
目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(lpcvd)和等离子增强化学气相沉积(pecvd)工艺。此外，液相外延法(lppe)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。
另外，许多著名pecvd厂商也在为如何提升自身的竞争力殚精竭虑，例如，著名管式pecvd厂商centrotherm就推出了centaurus技术，平板式pecvd厂商roth&rau也依据平板式镀膜的优势而推出了异质结结构
在太阳能电池的一般生产工艺中，经过扩散制结，等离子刻蚀去周边和pecvd制减反膜，下一工艺主要是形成良好的电极接触，而这正是通过丝网印刷和烧结两道工艺共同完成的。...正面电极的形式和厚度总是两方面因素平衡的结果：一方面要有高的透过率;另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。对此，各光伏生产厂家有许多不同的制作工艺。
其中pin膜的沉积是利用pecvd技术在非硅衬底上制备晶粒较小的多晶硅薄膜的一种方法。该薄膜是一种p-i-n结构，主要特点是在p层和n层之间有一层较厚的多晶硅的本征层（i层）。...太阳能电池就是以tco薄膜为衬底生长的，用等离子体增强化学气相沉积法（pecvd）生长的太阳能电池层也称为有效层。有效层包括两个pin串联的双结结构。
目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（pecvd）沉积本征及掺杂的a-si:h膜，同时热丝化学气相沉积法（hwcvd）制备a-si:h法也被认为很有前景。...从成本来看，在hit太阳能光伏电池等结晶硅型太阳能电池单元中，硅晶圆在总成本中所占的比例非常大，减薄其厚度是降低成本的重点。
(2)非晶硅层的制备方法hit电池的非晶硅层通常用等离子增强化学气相沉积(pecvd)技术进行制备。...与pecvd相比，hwcvd产生的等离子能量较低，能有效避免离子的轰击，同时可产生用于预处理硅片表面的低能原子氢，制备过程中的粉尘较少，不易使a-si：h薄层短路。
由于影响pecvd系统淀积效果的参数很多，如气体流量和流量比，工艺腔温度，射频功率，沉积气压等等，而且对不同的pecvd设备会有不同的最佳参数，我们有必要就主要的控制参数进行研究，摸索出在这台pecvd
目前硅基薄膜太阳能电池，无论单结、双结还是三结电池，制造工艺都是采用等离子体增强的化学气相沉积(pecvd)方法，真空腔的清洗基本是氟化物(sf6或nf3)，排出物是含氟气体。...与常规的晶体硅太阳能电池相比，这些薄膜电池使用材料很少，构成太阳能电池的薄膜材料厚度不超过5微米，而晶体硅电池厚度约180微米～200微米。
制作减反射膜层 对于高效太阳电池，最常用和最有效的方法是蒸镀zns/mgf2双层减反射膜，其最佳厚度取决于下面氧化层的厚度和电池表面的特征，例如，表面是光滑面还是绒面，减反射工艺也有蒸镀ta2o5, pecvd
