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旁路二极管作为负载带来一定损失,串联会产生小幅度失配。光照强度不均匀由于组件表面的灰尘积累、阴影遮挡等原因,各组件接受的光照强度不一致,导致同一时间下各组件的p-v特性曲线出现差异,形成失配。
随着高能效的功率变换技术不断引入,新一代的igbt、超级结mosfet和碳化硅二极管的使用,使得效率的标杆不断被刷新。...目前逆变器会根据不同功率采用igbt、mosfet和高速二极管作为功率变换的主要器件,市场要求这些器件具有更低的传导损耗与开关损耗及高可靠性等优点。
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