项目拟租赁合肥京东方显示技术有限公司3号建筑楼4层总建筑面积约1.8万平方米，购置磨边机、激光划线机、湿洗机、磁控溅射机、干洗机、 涂布机、热烘烤炉、蒸镀机、原子层沉积装置、反应式等离子体沉积机、封装组件
包括电池车间、研发车间、综合仓库、化学品库、动力站、110千伏变电站、中转池、磷烷站、空分站、氨气/笑气站、硅烷站、食堂、倒班宿舍、门卫室等生产及公辅设施，租用建筑面积229335.85平方米；购置安装硼扩散、等离子体增强化学气相沉积设备
加快发展溶液涂布设备、真空镀膜设备、丝网印刷设备、激光设备、等离子体化学气相沉积设备（pecvd）、扩散炉等光伏制造设备。到2025年，形成光伏组件产能11gw。持续开展分布式光伏应用示范。
目前，乐天钙钛光电已拥有精密狭缝涂布技术、大面积薄膜印刷技术、等离子体沉积技术以及前驱体合成技术和电子空穴传输层调控技术。预计年内有望建成100mw中试线，并计划于2025年实现电池组件量产。
目前，乐天钙钛光电已拥有精密狭缝涂布技术、大面积薄膜印刷技术、等离子体沉积技术以及前驱体合成技术和电子空穴传输层调控技术。预计年内有望建成100mw中试线，并计划于2025年实现电池组件量产。
（钾、钠、钙、镁、铬、铜、锌、钡、锶、铁、铝、镓、镍、钒、锗、硼、磷、钛、锰）的测定 电感耦合等离子体光谱法煤炭自动化制样系统第1部分技术条件矿用钻孔电磁波透视监测设备通用技术条件煤层群穿层钻孔瓦斯预抽单层抽采量确定方法煤层增透效果评价方法煤矿井下瓦斯防治钻孔机器人通用技术条件煤矿风机用防爆双电源
理想万里晖目前主要产品为用于hjt 电池生产的等离子体化学气相沉积 （pecvd）设备，未来根据客户需求提供hjt电池生产线整线交钥匙工程。
“该发电厂n型晶圆片的产能为1.3gw，太阳能电池的产能为1gw，光伏组件的产能约为500mw，”该公司一名发言人本周在德国国际太阳能技术博览会（intersolar）上告诉《光伏》杂志，“等离子体化学气相沉积
，部分厂商也在开始尝试该路线；tco制备环节，磁控溅射pvd法因为工艺简单，膜层均匀易控制且靶材利用率高制造成本低等优势已然成为制备tco的主流工艺，而反应等离子体沉积rpd法因为凭借沉积的iwo光电性能更优异的优势
技术分歧梅耶博格的hjt生产线基于pecvd（等离子体增强化学气相沉积）工艺，用于生产双结晶体硅(a-si)/非晶硅(a-si)电池。...oxford pv可以直接与溅射或薄膜沉积专家而不是梅耶博格合作。”
其制造工艺包括通过原位掺硼多晶硅层低压化学气相沉积法（lpcvd）形成p型后触点。工艺步骤还包括高温退火并通过等离子体增强化学气相沉积法（pecvd）在电池的两侧应用氮化硅（sinx）层。
值得注意的是，虽然某些工序/设备名称一样，但是实际区别较大，例如pecvd设备，pecvd全称为等离子体增强化学气相沉积法（plasma enhanced chemical vapor deposition
meyer burger通过其helia pecvd平台为a-si钝化部署了等离子体增强化学气相沉积（pecvd）。...bloombergnef团队注意到，这些设备供应商在hjt电池的两侧部署了化学气相沉积（cvd）来沉积非晶硅（asi）。
对于sin x，一方面，采用pecvd（等离子体增强化学气相沉积）方法，在沉积过程中，其折射率可以从1.98调整到2.98 ]。...因此，在本报告中，第三层被siox取代，它具有更合适的1.46的折射率，并且可以很容易地集成到sinx中采用等离子体增强化学气相沉积（pecvd）方法的沉积工艺。
，使用pecvd（等离子体增强化学气相沉积）来沉积正面的氮化硅减反膜，使用丝网印刷机印刷背面铝膜和正面银栅线，最后在烧结炉中完成高温烧结。...工艺设备材料拆解——常规单晶铝背场电池常规p型单晶铝背场电池使用p型硅片做衬底，在槽式制绒清洗机中完成清洗制绒，在扩散炉中进行扩散制pn结，使用湿法刻蚀清洗机或等离子体刻蚀机与去psg清洗机完成刻蚀和去磷硅玻璃
，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤如下：01、制绒清洗机 ：电池正反面制绒 02、等离子体增强化学气相（pecvd）沉积正面本征非晶硅薄膜
a 型416管式pecvd机台使用的是416石墨舟载片，相较于b型308管式pecvd使用的308石墨舟载片，其增加了长度和宽度，因此增加了工艺功率使镀膜平均功率相同，平均沉积速率相同，但等离子体整体辉光放电均匀性变差
电池生产设备国产化正在积极推进中；背钝化技术氧化铝镀膜设备研发已形成批量生产销售；topcon电池工艺技术钝化设备研发已进入工艺验证阶段；智能制造车间系统产品技术成熟，步入大规模产业化推广阶段；主营产品高温扩散氧化退火炉、管式等离子体沉积炉
，产生气体放电，形成等离子体。...在淀积等离子体氮化硅时，并不是等离子体中所有sih4和nh3的反应都能生成理想的薄膜，只有表面反应才能生成所需的薄膜。
除此之外，电池片还必须经过等离子体增强，化学蒸汽沉积氮化硅作为防反射涂层。
该设备还必须具有经过等离子体处理的化学气相沉积氮化硅作为抗反射涂层。
在云南省基础研究计划项目和国家自然科学基金支持下，云南大学万艳芬、杨鹏等人受珊瑚结构高吸光性能的启发，设计并制备了一种新型的复合材料，包括具有等离子体效应的金（au）纳米锥、钼酸铋（bi2moo6）半导体和生物质碳点
随后在3月14日，继在美国和德国，韩华新能源又以相同的原因，向澳大利亚联邦法院对晶科、隆基提起专利侵权诉讼，称专利权利要求不限于任何特定的制造方法，例如原子层沉积（ald）或等离子体增强化学沉积（pecvd
hjt电池工艺主要包括制绒、非晶硅沉积、tco沉积、丝网印刷。非晶硅沉积主要使用pecvd方法。tco薄膜沉积目前有两种方法：rpd(反应等离子体沉积)和pvd（物理化学气象沉积）。
目前，国内外文献多采用等离子体增强化学气相沉积法(pecvd)制备非晶硅薄膜，其他 方法如热丝化学气相沉积技术(hwcvd)、常压化学气相沉积技术(apcvd)和 离子束辅助沉积技术制备a-si:h也有研究
