金刚石线（dws）切割是光伏电池生产过程中的关键步骤之一，而使用传统表面活性剂的切割液难以满足当今最前沿的高性能切割工艺的需求：低效的切屑排除能力和金刚线镀层退化可造成深切口线痕和凹陷线痕，不仅影响硅片本身的质量
此外，大尺寸与薄片化二者存在一定对立，大尺寸硅片在切割薄片化上对切片机、金刚线及切割工艺提出了更高的要求，减少碎片、ttv、线痕，以及大尺寸薄片可能产生的弯曲与翘曲。...2.未来光伏产业链对硅片需求 2.1硅片变薄硅片薄片化，不仅有效减少硅材料消耗，而且薄片化所体现出的硅片柔韧性也给电池、组件端带来了更多的可能性。
而在表面质量方面，提升方法主要有：控制湿法黑硅制绒片的反射率、加大隐裂检查、降低表面金属离子残留、减少线痕等。沿着这些路径，保利协鑫进行了多种高效产品的研发，并提供定制化产品解决方案以满足市场需求。
三级品：1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅落现象。2：22040mtv22060m。3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落或部分硅晶脱落。三、不合格品严重线痕、厚薄片：tv22060m。
碳化硅在循环使用后（包括在线回收和离线），减少了棱角，减低了切割能力；切割硅片表面会越来越粗糙，导致比较高的ttv、线痕等异常。...；虽然大颗粒切割较快，但是它会引起表面损伤，深的线痕和高的表面粗糙度；也表现更高的ttv和切损，可以理解为由大粒度的高刻划力引起的。
金刚线直接添加剂法由于减重较低，难以有效去除硅片表面的切割线痕，因此印刷时需注意线痕与细栅的方向。实验发现，金刚...二、关于pecvd金刚线多晶硅片由于其特殊的二维切割方式，表面损伤层浅、线痕较深，金刚添加剂难以有效去除表面的线痕、降低反射率，因此外观与常规砂浆线电池差异较大。
不过由于金刚线切割多晶硅片的损伤层浅、线痕明显等问题，常规砂浆线的酸制绒难以在其表面刻蚀出有效的减反射绒面。...由于金刚线多晶硅片与砂浆线硅片损伤层等差异较大，因此利用砂浆线酸制绒的方法对金刚线多晶硅片进行制绒时反射率达到28%左右，平均eta比常规砂浆线低0.2%左右，主要是由于其制绒后反射率过高，从而导致isc
但过于光亮的硅晶圆片会让电池片外观产生线痕问题、也会因更高的反射率而降低转换效率，故须再多加一道表面蚀刻的制程处理，业界普遍称之为黑硅技术。...除此之外，晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发，开始进入认证阶段。
外观断栅、虚印的主要表现是栅线印迹中断或模糊，如图1和2，而丝网参数设置不正确，网版线宽与浆料不匹配，网版堵塞，刮条磨损，浆料粘度过高或变干，硅片线痕等均会不同程度地造成断栅、虚印。
林晓峰：目前客户主要反映的问题有碎片率、效率的稳定性、以及线痕等问题，碎片和效率的稳定性在铸锭这边来解决，线痕等在铸锭后道工序切片解决。记者：在提高硅片的转换效率方面大家都做了哪些努力？
还有一种切割方式为金刚石切割线切割，但由于产品直径为250微米，超过切割钢丝两倍，多晶硅损耗较大，而且会在晶硅片表面留下线痕，导致晶硅电池片转换效率低下，其仅能运用于硅锭粗加工领域，不符合硅片切割要求。
他们还对减少线痕片作了进一步技术攻关，通过细化车间管理，加强员工个人考核，将其工资与断线事故挂钩，严格控制耗材质量，大大降低了车间断线事故的发生。目前，该部硅片线痕率较年初下降了5个百分点以上。
但控制不好，也可能会出现线痕片等不良效果，影响切割质量和成品率。总之，太阳能硅片线切割机的操作，是一个经验大于技术流程与标准的精细活。只有在实际操作中，不断总结与探讨，才能对机器的驾驭游刃有余。
华伯仪器推出的硅料精炼提纯系统是华伯仪器铸锭炉的关键技术，该专利技术可使硅料在铸锭的同时大幅去除碳、氧含量，对磷、硼杂质的去除也有帮助，采用该技术后硅片的得片率上升，切片更加容易，并且减少了线痕、断线，
但控制不好，也可能会出现线痕片等不良效果，影响切割质量和成品率。总之，太阳能硅片线切割机的操作片线切割机的操作，是一个经验大于技术流程与标准的精细活。...张力控制不好是产生线痕片、崩边、甚至短线的重要原因。钢线的张力过小，将会导致钢线弯曲度增大，带砂能力下降，1、钢线的张力过小，将会导致钢线弯曲度增大，带砂能力下降，切割能力降低。从而出现线痕片等。
半导体行业对硅片表面质量要求较高，但其线痕并不是一个大问题，因为相对而育其硅片较厚，切割过后有一抛光研磨过程可以去除线痕；而光伏行业的硅片非常薄，且在整个光伏行业原料紧缺的情况下，更不可能把性料浪费在研磨损失上
张力控制不好是产生线痕片、崩边、甚至短线的重要原因。1、钢线的张力过小，将会导致钢线弯曲度增大，带砂能力下降，切割能力降低。从而出现线痕片等。
张力控制不好是产生线痕片、崩边、甚至短线的重要原因。1、钢线的张力过小，将会导致钢线弯曲度增大，带砂能力下降，切割能力降低。从而出现线痕片等。
还有一种切割方式为金刚石切割线切割,但由于产品直径为250微米,超过切割钢丝两倍,多晶硅损耗较大,而且会在晶硅片表面留下线痕,导致晶硅电池片转换效率低下,其仅能运用于硅锭粗加工领域,不符合硅片切割要求。
