应选用达到国家1级能效水平或同行业设备先进水平的层压机、硼扩散设备、磷扩散设备、印刷生产线、镀膜设备等设备,要将能效指标作为重要的技术指标列入设备招标文件和采购合同。(二)切实加强节能管理。
第二,它要做pn结,p型半导体深只要扩磷,形成n型,这样简单的就做成了pn结,把磷原子扩散进去,温度较低,一般在800~820度,20分钟就可以了,热预算又比较少。
另外,也可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩蔽层,掩蔽层上的硼经扩散后进入n型衬底形成p+区,而未印刷掩膜层的区域,经磷扩散后形成n+区。
德国konstanz大学做了实验对比,分别测试了掺硼并进行磷(p)吸杂的电池、掺镓(ga)并进行磷吸杂的电池在不同温度下的少子寿命(少子寿命降低说明存在光衰现象),发现掺硼和掺镓的perc电池都存在letid
(来源:微信公众号“光伏领跑者创新论坛” id:pv_top-runner_forum)◆ 在纯硅上先掺杂硼(最外层含有3个电子),可以得到p型硅,在p型硅上面扩散磷元素,形成n+/p型结构的太阳电池即为
电池生产工艺:碱腐蚀去损伤层、制备电池表面陷光层→单面磷 (pocl3) 扩散形成pn结→湿法刻蚀周边结及清洗→电池上表面热氧化制氧化硅薄层→等离子增强化学气相沉积 (pecvd) 在电池上表面沉积sinx
(来源:微信公众号“光伏” id:pvmagazine)引言掺硼p型硅片的lid(光致衰减)现象由来已久,众多科研机构已对其进行了广泛深入的研究,光照下,硼氧复合物的形成是造成该现象的根本原因[1]。
图1为基于磷掺杂的n型硅制备成p+nn+结构的双面太阳电池,其采用硼扩散掺杂制备发射极,磷扩散掺杂制备n+背场。
npert双面电池基本工艺流程为:(1)双面制绒(2)上表面扩散硼制成p+n结(3)背面扩散磷制成n+n结(4)双面钝化薄膜(5)双面金属化,结构示意图如图1所示。
另外,b2o3的沸点很高,扩散过程中始终处于液态状态,扩散均匀性难以控制,且与磷扩散相比,为了获得相同的方块电阻需要更长的时间和更高的温度,导致材料性能变差。
重点给大家介绍ipv3000,它是有双离子源,可以同时注入磷和硼,ipv3000它是高产能的,每小时可以达到3000片的产能,设备有兼容性,n-pert加一台设备可以做topcon,再加两台设备可以做ibc
这种电池就是说能兼容,它兼容p型的一个工艺,通过我们的常规的磷扩散硼扩散。由于磷备厂及所以它天生的可以做成双面电池。还有一个特点,双面电池比较多,现在n-pert也可以做双面。
硅原子有4个外层电子,若在纯硅中掺入有5个外层电子的原子如磷原子,就成为n型半导体;若在纯硅中掺入有3个外层电子的原子如硼原子,形成p型半导体,两者结合到一起成为pn结。...半导体材料组成的pn结两侧因多数载流子(n区中的电子和p区中的空穴)向对方的扩散而形成宽度很窄的空间电荷区w,建立自建电场ei。
此外,n型硅片掺入磷,没有硼-氧对,因此电池功率的衰减也远低于常规p型电池。...价格与产能方面,光伏产品价格今年1季度触底回升,无效产能大量挤出,行业集中度提升,龙头企业产能利用率达95%以上。我们认为光伏行业最灰暗的时刻已经过去,行业迎来景气度回升。
华伯仪器推出的硅料精炼提纯系统是华伯仪器铸锭炉的关键技术,该专利技术可使硅料在铸锭的同时大幅去除碳、氧含量,对磷、硼杂质的去除也有帮助,采用该技术后硅片的得片率上升,切片更加容易,并且减少了线痕、断线,
(c)钝化发射区和背面局部扩散电池(perl):在背面接触点下增加一个浓硼扩散层,以减小金属接触电阻。...(d)埋栅电池:unsw开发的激光刻槽埋栅电池,在发射结扩散后,用激光在前面刻出20m宽、40m深的沟槽,将槽清洗后进行浓磷扩散。然后在槽内镀出金属电极。电极位于电池内部,减少了栅线的遮蔽面积。
与传统的硼或者其他3价元素扩散的p型硅片不同,“熊猫”电池的基础是磷掺杂的n型硅片。...数天后,“熊猫”电池技术提供者荷兰能源研究中心(ecn)在上海世博会荷兰馆举行的“中荷光伏高端研讨会”中更详细得介绍了相关的光伏技术,并寻求与中国企业更深度的合作。
然后加工太阳能电池片,在硅片上进行掺杂和扩散,一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上形成pn结。