多晶硅制绒是损伤层的去除和制绒面同时进行的，控制的主要参数是制绒深度，为保证损伤层的去除干净，制绒深度必须要够，但不能过大，制绒深度不够导致损伤层去除不净，腐蚀坑过深过窄，制绒深度过大导致腐蚀坑过大，大的不规则腐蚀坑洞较多，绒面一致性差等。
在绒面硅片上制成PN结太阳能电池，它有以下特点：
1.绒面电池比光面电池的反射损失小，如果再加减反射膜，其反射率可进一步降低。
入射光在光锥表面多次折射，改变了入射光在硅片中的前进方向，不仅延长了光程，增加了对红外光子的吸收，而且有较多的光子在靠近PN结附近产生光生载流子，从而增加了光生载流子的收集几率。
2.在同样尺寸的基片上，绒面电池的PN结面积比光面大很多，因而可以提高短路电流，转换效率也有相应提高。
3.绒面也带来了一些缺点：一是工艺要求提高了；二是由于它减反射的五选择性，不能产生电子空穴对的有害红外辐射也被有效地耦合入电池，是电池发热；三是易造成金属接触电极与硅片表面的点接触，使接触电阻损耗增加。
图1RENA清洗制绒设备
1.制绒深度
一般在4.2±0.2um（电子天平称重测得）
通过测量制绒前后硅片重量（g），可以计算出制绒深度，根据具体测量情况可以改变工艺参数：
槽体温度
原则上温度控制在8℃，一般上下浮动1-2℃，调整范围为0.5-1℃，温度升高腐蚀深度增加。反之，温度可以作为腐蚀速率的调节手段，但是这是最后的手段。由于温度较高的情况下，溶液在制绒槽时会不稳定，所以一般不宜长时间超过10℃，当前补液能保证刻蚀速率不下降，那么无需调高刻蚀溶液的温度。
滚轮速度
原则上带速控制在1.0-1.5m/min，调整范围是0.1-0.2m/min，速度越快，制绒深度越小，反之。
自动补液
调整自动补液的周期以及自动补液量（HF、HNO3），补液周期越短，补液量越大，制绒深度越大，反之。
手动补液
可以手动添加化学品（HF、HNO3、DIwater），一般在制绒深度偏差较大时进行手动补液，一般在换液初期和槽体寿命快到时使用。
2.反射率
一般用反射率测试仪测得在20%左右
在工艺使用时用反射率测试仪确定工艺方案，在生产中要观察制绒后硅片的亮度，进行适当的调整。
图2硅片制绒效果
3.碎片
提高挡板的高度使得硅片能够顺利的通过滚轮能够碰到挡板的地方，可以选择将挡板切掉一部分。
调整喷淋管的位置，至滚轮能够光滑运行，调整风管和水管的位置，使得硅片在通过的时候，不好影响硅片的运行。
滚轴高低不平会影响硅片的运行方向，导致叠片卡片，致使碎片。
4.硅片吹不干
调整吹干气体流量（作者赛维工艺部）
