目前第三代的太阳能硅锭是控制型准单晶或全单晶铸锭方法。大体采用修正型Bridman方法或修正型VGF（VerticalGradientFreeze）方法。这些技术已成功用于光学晶体生长和半导体晶体生长。第一代是传统铸锭技术，第二代是定向铸锭技术，第三代是晶体生长技术。晶体生长需要控制籽晶熔化、温度梯度、界面形状。最终实现单晶生长、降低位错、控制浓度。
控制热流法
精功CHFA原理图
热流控制器有各种设计，如热管技术。优点：控制热流和内部流动，营造小环境。
京瓷专利图
BP专利图
太阳能硅制备技术比较
（作者：张辉）
