part1组件发展趋势当前组件技术不断的更新迭代，如高效perc，黑硅、双玻、半片、叠瓦等；硅片方面，硅片的尺寸也不断的增大，从156发展到182、210，硅片面积分别增加了37%和83%。
公司成立于2010年8月，立足于多晶硅电池片，多年来，公司通过研发应用低压扩散技术、黑硅工艺技术、pe三层膜技术等，不断改造和完善晶硅太阳能电池片生产工艺及技术，建成了先进的太阳能电池片生产线。
公司成立于2010年8月，立足于多晶硅电池片，多年来，公司通过研发应用低压扩散技术、黑硅工艺技术、pe三层膜技术等，不断改造和完善晶硅太阳能电池片生产工艺及技术，建成了先进的太阳能电池片生产线。
多晶电池全面应用黑硅技术，单晶领域则大规模普及perc技术，预计2-3年内在多晶领域也将全部由perc技术替代。
其中，perc黑硅多晶电池片平均转换效率达到20.6%，perc单晶电池片平均转换效率为22.4%至
，本周国内常规多晶硅片价格基本与上周持平，中效硅片主流价格基本在1.3-1.35元/片，高效多晶硅片价格在1.55-1.65元/片，在产多晶硅片企业表示目前需求比较平稳，多集中在中效片，而高效常规以及黑硅多晶硅片需求较弱
在最新研究中，黑硅光电探测器的效率高达130％，这意味着一个入射光子产生大约1.3个电子。...阿尔托大学研究人员表示，这一重大突破背后的秘密武器是黑硅光电探测器独特的纳米结构内出现的电荷载流子倍增过程，该过程由高能光子触发。
p型单晶及多晶电池技术持续优化，采用perc和黑硅技术先进生产线平均转换效率分别达21.8%和20.3%，均处于全球领先水平。四是品牌效应逐步凸显。“世界光伏看中国、中国光伏看江苏”。
同日，通威电池片也公布了6月新价，单晶perc电池片价格不变；多晶电池片下调0.05元/瓦，调至0.5元/瓦；取消多晶黑硅和铸锭单晶的报价。
同日，通威电池片也公布了6月新价，单晶perc电池片价格不变；多晶电池片下调0.05元／瓦，调至0.5元／瓦；取消多晶黑硅和铸锭单晶的报价。
此次，通威价格公告中，减少了对多晶电池（黑硅157）、铸锭单晶perc电池（单/双面158.75）的报价。值得一提的是，通常在隆基硅片价格宣布下调后，通威电池片定价也会随之下调。
单晶、黑硅、钝化的发射极和背面电池（perc）、熊猫n型、双面双玻发电不同组件构成的多晶高效发电技术，及建筑用光伏构件（bhpv）技术……房顶上，啥都有！
多晶电池逐渐向黑硅方向升级。单晶包括 p 型和 n 型。p 型电池中 perc 技术逐渐成为主流，叠加 se（选择性发射极）技术，电池效率 逐渐提升。
多晶电池金刚线157由0.62元／瓦降至0.55元／瓦，黑硅157由0.67元／瓦降至0.6元／瓦；单晶perc电池单／双面156.75由0.91元／瓦降至0.78元／瓦，通威perc电池166mm电池由
由于存在先天劣势，即使多晶硅片叠加perc技术和黑硅（即制绒工艺）的多晶电池产品，仍然无法与单晶perc电池竞争。
黑硅157由0.67元/w降至0.6元/w。单晶perc电池单/双面156.75由0.91元/w降至0.78元/w。通威perc电池166mm电池由0.94元/w降至0.8元/w。
公告显示，4月多晶电池（金刚线157）定价下调3分至0.62元/w；多晶电池（黑硅157）定价下调3分至0.67元/w。
从集邦统计价格来看，目前海外市场多晶硅片产品上调区间至0.194~0.197usd/pc，黑硅产品上调至0.248usd/pc，单晶硅片产品156.75mm产品修正区间至0.380~0.405usd/pc
组件成本2019年，随着各环节技术进步与成本控制，单晶perc组件成本降至约1.31元/w，较2018年下降超过9%；黑硅多晶组件、黑硅多晶perc组件成本较单晶perc组件低6-7分/w。
在多晶领域，前期由于金刚石线应用于多晶硅切割的硅片表面制绒问题，金刚石线在多晶硅片切割的规模化应用略晚，至2017年随着多晶的黑硅技术成熟，多晶硅片的制绒问题得到解决，金刚石线在多晶领域的渗透率快速提升
通威太阳能电池片近一年价格走势分析2月25日，通威太阳能发布最新2020年3月电池片定价公告，公告显示，3月份多晶电池（金刚线157）定价上涨，由0.64元/w调整为0.65元/w；多晶电池（黑硅）价格上涨
进入2020年后，虽然1月份两者价格延续了去年四季度跌势，每瓦下降0.04元，但1-2月份价格维稳，3月价格甚至出现小幅上涨，多晶电池金刚线、黑硅均上调0.01元/w。...2月25日，通威太阳能发布最新2020年3月电池片定价公告，公告显示，3月份多晶电池（金刚线157）定价上涨，由0.64元/w调整为0.65元/w；多晶电池（黑硅）价格上涨，由0.69元/w调整为0.7
公司产品包括常规多晶电池片、12栅多晶电池片、黑硅电池片和高效单晶perc电池片。公司现有4个标准化生产车间，现有满产产能为5gw。
黑硅perc 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.0±0.2 μm，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右；采用氧化铝及氮化硅钝化制备的黑硅
其中，与协鑫(gcl)的多晶黑硅项目上的合作取得了业内领先的业绩。
